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《半導體光電》雜志創刊于1976年，是由中國電子科技集團公司主管、重慶光電技術研究所主辦的科技期刊。在報道重點上，本刊秉持以光電器件為主體，以材料、結構及工藝為基礎，以光電器件在各領域中的應用為先導的選題原則。吸引了不少從事半導體光電研究的作者，那半導體光電雜志投稿須知是什么呢?下面學術顧問給大家分享下：
《半導體光電》雜志投稿須知：
1. 來稿文責自負。文稿務必主題明確,論述合理,邏輯嚴謹,數據可靠,敘述清楚,文字精煉。內容應保守國家機密,引用他人作品應給出來源。
2. 文稿一般不超過6 000 字,綜述稿不超過8 000 字,其他類型的稿件酌減。所有稿件應附中英文題名、作者名、單位名、摘要和關鍵詞。基金項目應注明編號。
3. 摘要應包括目的、方法、結果和結論四個要素,也就是用簡潔的語言說明文章要解決的問題,主要工作過程及所采用的技術手段和方法,研究所獲得的實驗數據、結果及其意義。篇幅以200～250 字為宜。
4. 關鍵詞以5～8 個為宜。為便于文獻檢索, 應盡可能提供中圖分類號。
5.文中涉及的物理量和計量單位應符合國家有關標準。計量單位請用GB3100 - 3102 - 93《量和單位》規定的法定計量單位。注意區分各物理量符號的文種、大、小寫、正、斜體(矢量和矩陣用黑斜體)、上、下角標等。
6. 插圖和表格應有圖題和表題。插圖應采用計算機制作，勿用截圖。本刊自2020年第4期開始改版為彩色印刷，接受彩色圖文件。請在投稿時一并提交圖文件，分辨率不低于600dpi，框圖、流程圖等推薦用visio軟件繪制。
7. 文稿中引用他人的成果,務請寫明原作者姓名、題名、來源,一并在參考文獻中給出,并在正文中相應位置進行標示,否則責任由來稿人自負。參考文獻只擇主要的。文獻的著錄格式嚴格按照以下形式書寫(含標點符號)：
1) 專著：作者.書名.版本(第1版不著錄)[M].出版地:出版者,出版年:起止頁碼.
2) 譯著:作者.書名[M].譯者,譯.出版地:出版者,出版年:起止頁碼.
3) 期刊:作者.題名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止頁碼.
4) 會議論文集:作者.題名[C]// 編者.論文集名.出版地:出版者,出版年:起止頁碼.
5) 學位論文:作者.題名:[學位論文][D].保存地:保存者,年份.
6) 專利文獻:專利申請者.題名.專利國別,專利號[P].公告日期或公開日期.
7) 標準:責任者.標準代號 標準名稱[S].出版地:出版者,出版年.
8) 電子文獻標注格式:主要責任者.題名：其它題名信息[文獻類型標志/文獻載體標志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].獲取和訪問路徑.
9) 注意事項
(1)參考文獻中的外文作者名、外文刊名的縮寫一律不用縮寫點。
(2)外文著者一律用姓在名前，采用首字母縮寫(中國人用全名不縮寫)。姓和名之間不加逗號，名2個以上大寫首字母，2名間空一格。文獻作者3名以內全部列出，4名以上則列前3人，后加“et al”。各著者間不加“and”、“和”等，應用逗號分開。
(3)外文題名第一個單詞首字母大寫，其余單詞(專有名詞除外)均不大寫。
(4)外文刊名應按國際標準規定縮寫，不加縮寫點。
(5) 為擴大期刊論文的傳播范圍，提高影響力，即日起，凡文中涉及的中文參考文獻，請提供對應外文格式。
8. 來稿請注明作者詳細通信地址、郵編、聯系電話，以及電子郵箱。
9. 本刊將在收到稿件兩個月之內對來稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有權對稿件另行處理。稿件一經刊用,本刊將酌付稿酬并贈送樣刊。
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