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摘 要： 摘要：綜述了兩類導(dǎo)熱絕緣材料的研究現(xiàn)狀及其在電機(jī)、電子、LED封裝、航空航天軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用情況及發(fā)展前景，并指出了導(dǎo)熱絕緣材料的發(fā)展方向。 關(guān)鍵詞：導(dǎo)熱;絕緣材料 0引 言 導(dǎo)熱絕緣材料是一種常用的功能材料，通常以陶瓷、塑料、橡膠、膠粘劑、涂料等形式廣泛應(yīng)
摘要：綜述了兩類導(dǎo)熱絕緣材料的研究現(xiàn)狀及其在電機(jī)、電子、LED封裝、航空航天軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用情況及發(fā)展前景，并指出了導(dǎo)熱絕緣材料的發(fā)展方向。
關(guān)鍵詞：導(dǎo)熱;絕緣材料
0引 言
導(dǎo)熱絕緣材料是一種常用的功能材料，通常以陶瓷、塑料、橡膠、膠粘劑、涂料等形式廣泛應(yīng)用于微電子封裝、電機(jī)、汽車、特種電纜、高端航空航天等領(lǐng)域，在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域有著良好的應(yīng)用前景。
在電力工業(yè)中，大中型高壓發(fā)電機(jī)、電動機(jī)在運(yùn)行過程中會產(chǎn)生大量的熱，如果不及時(shí)導(dǎo)出，將直接影響其工作效率，縮短壽命，降低其可靠性，因此電機(jī)傳熱已成為現(xiàn)代電機(jī)技術(shù)發(fā)展急需解決的問題之一。而隨著電子產(chǎn)品、LED等不斷向大功率方向發(fā)展，將會出現(xiàn)越來越多的發(fā)熱問題，使產(chǎn)品功效降低，壽命縮短。因此急需研制高導(dǎo)熱絕緣材料，解決結(jié)構(gòu)散熱問題，這也是世界各國電氣絕緣材料的研究熱點(diǎn)之一。
1導(dǎo)熱絕緣材料的分類
1.1 無機(jī)非金屬導(dǎo)熱絕緣材料
通常金屬(如Au、Ag、Cu、A1、Mg等)均具有較高的導(dǎo)熱性，但均為導(dǎo)體，無法用作絕緣材料，而部分無機(jī)非金屬材料，如金屬氧化物A1：O，、MgO、ZnO、NiO，金屬氮化物A1N、Si，N。、BN，以及SiC陶瓷等既具有高導(dǎo)熱性，同時(shí)也具有優(yōu)良的絕緣性能、力學(xué)性能、耐高溫性能、耐化學(xué)腐蝕性能等，因此被廣泛用作電機(jī)、電器、微電子領(lǐng)域中的高散熱界面材料及封裝材料等。
陶瓷封裝具有耐熱性好、不易產(chǎn)生裂紋、熱沖擊后不產(chǎn)生損傷、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、電絕緣性能高、熱導(dǎo)率高、高頻特性、化學(xué)穩(wěn)定性高、氣密性好等優(yōu)點(diǎn)，適用于航空航天、軍事工程所要求的高可靠、高頻、耐高溫、氣密性強(qiáng)的產(chǎn)品封裝。由于陶瓷材料所具有的良好的綜合性能，使其廣泛用于混合集成電路和多芯片模組。在要求高密封的場合，可選用陶瓷封裝。國外的陶瓷封裝材料以日本居首，日本占據(jù)了美國陶瓷封裝市場的90%～ 95%，并且占美國國防(軍品)陶瓷封裝市場的 95%～98%。傳統(tǒng)的陶瓷封裝材料是A1：0。陶瓷，具有良好的絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性和力學(xué)性能，摻雜某些物質(zhì)可滿足特殊封裝的要求，且價(jià)格低廉，是目前主要的陶瓷封裝材料。SiC的熱導(dǎo)率很高，是 A1：O，的十幾倍，熱膨脹系數(shù)也低于A1：O，和AIN，但是SiC的介電常數(shù)過高，所以僅適用于密度較低的封裝。A1N陶瓷是被國內(nèi)外專家最為看好的封裝材料，具有與SiC相接近的高熱導(dǎo)率，熱膨脹系數(shù)低于A1：0，，斷裂強(qiáng)度大于Al：O，，維氏硬度是A1：O，的一半，與A1：O，相比，AIN的低密度可使重量降低 20%，因此AIN封裝材料引起國內(nèi)外封裝界越來越廣泛的重視。
1.2聚合物基導(dǎo)熱絕緣材料
由于聚合物材料具有優(yōu)良的電氣絕緣性能、耐腐蝕性能、力學(xué)性能、易加工性能等，人們逐步用聚合物材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電氣絕緣材料，但大多數(shù)聚合物材料的熱導(dǎo)率很低，無法直接用作導(dǎo)熱材料，需要通過加入導(dǎo)熱性物質(zhì)，使其成為導(dǎo)熱絕緣材料。按獲得導(dǎo)熱性的方式，聚合物導(dǎo)熱絕緣材料可分為本體導(dǎo)熱絕緣聚合物和填充導(dǎo)熱絕緣聚合物。本體導(dǎo)熱絕緣聚合物通過在高分子合成或加工過程中改變其分子結(jié)構(gòu)和凝聚態(tài)，使其具有較高的規(guī)整性，從而提高其熱導(dǎo)率。填充型則是通過在高分子材料中加入導(dǎo)熱絕緣填料來提高其熱導(dǎo)率u4，。
1.2.1本體導(dǎo)熱絕緣聚合物材料研究進(jìn)展
本體導(dǎo)熱絕緣聚合物材料的熱導(dǎo)率主要取決于樹脂的結(jié)晶性和取向性。通常認(rèn)為，分子、晶格的非諧性振動，界面缺陷等都將引起聲子散射，如果分子鏈剛性大，排列規(guī)整性高，則熱量可沿分子鏈方向迅速傳輸，減弱聲子散射的幾率，如具有剛 R R 性基元的液晶高分子的熱導(dǎo)率要優(yōu)于無定形態(tài)聚合物。聚合物材料的熱導(dǎo)率還取決于極性基團(tuán)的含量和偶極化程度，如聚酰亞胺分子結(jié)構(gòu)中極性基團(tuán)較多，易于極化，因此聚酰亞胺薄膜的熱導(dǎo)率可達(dá)0.37 W/(m·K)，而聚四氟乙烯為非極性材料，其熱導(dǎo)率就相對較低，僅為0.25 W/(m·K)。除了通過分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)獲得高熱導(dǎo)率聚合物外，還可以通過定向拉伸和模壓等物理方法來提高材料的結(jié)晶完整性，進(jìn)而提高其熱導(dǎo)率。蔡忠龍等臚，研究了拉伸過程對聚乙烯熱導(dǎo)率的影響，發(fā)現(xiàn)拉伸比為200時(shí)，熱導(dǎo)率提高到原來的2倍甚至更高。據(jù)報(bào)道，對分子結(jié)構(gòu)簡單的聚乙烯進(jìn)行拉伸處理，可使其熱導(dǎo)率達(dá)到37 W/(m·K)。
K Fukushima等砸1通過合成含有聯(lián)苯剛性結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂，并選用具有萘環(huán)結(jié)構(gòu)的胺類作為固化劑，結(jié)果固化后的環(huán)氧樹脂的熱導(dǎo)率從普通雙酚A 環(huán)氧樹脂的0.17～0.21 W/fm·K)提高到0.30一0.35 W/(m·K)(如圖l所示)。而Cary C Stevens等m使用具有剛性結(jié)構(gòu)的液晶環(huán)氧樹脂，并采用合適的固化劑，使其在液晶態(tài)下固化成型，所得固化物的熱導(dǎo)率達(dá)到0.5 W/(m·目。
1.2.2填充型導(dǎo)熱絕緣聚合物材料研究進(jìn)展
雖然通過合成具有特殊分子結(jié)構(gòu)的原材料，并采用特殊制備工藝可以獲得高導(dǎo)熱的本體導(dǎo)熱絕緣聚合物，但其制備工藝復(fù)雜、難度大、成本高。因此，目前仍主要采用在聚合物中添加導(dǎo)熱絕緣填料的方法制備導(dǎo)熱絕緣聚合物材料。對于填充型導(dǎo)熱絕緣聚合物，其熱導(dǎo)率一方面取決于導(dǎo)熱填料的品質(zhì)，通常晶格缺陷越少，純度越高，熱導(dǎo)率越高，所制備的聚合物材料的熱導(dǎo)率提升越大;另一方面取決于聚合物基體和導(dǎo)熱填料間的復(fù)合情況。填料用量較少時(shí)，導(dǎo)熱顆粒問未能相互接觸和形成導(dǎo)熱通道，熱導(dǎo)率提高很小;只有當(dāng)填料用量增大到某一臨界值后，導(dǎo)熱顆粒問才能形成導(dǎo)熱網(wǎng)鏈，將熱量快速導(dǎo)出，如果導(dǎo)熱網(wǎng)鏈的取向和熱流方向相同，則材料導(dǎo)熱性將得到更大的提升。為了提高填料的分散性和導(dǎo)熱性，通常要對填料進(jìn)行表面改性，如通過硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行表面處理等(如圖2所示)，并選擇多種尺寸和形狀的填料，以最大程度形成導(dǎo)熱通道，提高熱導(dǎo)率(如圖3所示)9�！�。
按照聚合物基體和應(yīng)用領(lǐng)域的不同，填充型導(dǎo)熱絕緣聚合物又可分為導(dǎo)熱絕緣塑料、導(dǎo)熱絕緣橡膠、導(dǎo)熱絕緣膠粘劑和導(dǎo)熱絕緣涂層等，關(guān)于這方面的詳細(xì)論述已較多，在此不再贅述。
2導(dǎo)熱絕緣材料的應(yīng)用
2.1 電機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用
隨著電機(jī)的額定電壓和裝機(jī)容量不斷增大，運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的損耗隨之增加，從而產(chǎn)生出更多的熱量，使得電機(jī)的溫升增加。而高溫是導(dǎo)致電氣絕緣性能、力學(xué)性能下降、絕緣壽命縮短甚至失效的重要原因。因此，高壓電機(jī)運(yùn)行中的發(fā)熱、傳熱、冷卻將直接影響其工作效率、使用壽命和可靠性等重要指標(biāo)。目前電機(jī)主要通過以下幾種方式冷卻：
(1)水冷：冷卻用蒸餾水是在通有高壓和電流的線圈銅排內(nèi)部流動的，如果冷卻水中含有雜質(zhì)就會引起電氣短路事故，因此水冷時(shí)必須配備水處理設(shè)備等。
(2)氫冷：氫氣冷卻時(shí)必須配備龐大的輔助設(shè)備，如氫油系統(tǒng)等。而且，如果冷卻氫氣中混人大約5%的空氣就很容易引發(fā)爆炸危險(xiǎn)。
(3)空冷：空氣冷卻具有結(jié)構(gòu)簡單、布置緊湊、運(yùn)行可靠、安裝迅速、調(diào)整靈活、維修方便、成本較低、占地較小等優(yōu)點(diǎn)，因而回歸改用空冷是市場和用戶的要求。但是由于空氣熱容量太低，只有氫氣、水的1/7到幾十分之一。為了提高空氣冷卻能力，必須進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)整以降低導(dǎo)熱熱阻，達(dá)到降低溫升的目的。
國外電機(jī)用高導(dǎo)熱絕緣材料的研究和應(yīng)用起步較早，國外于上世紀(jì)80年代就完成了高導(dǎo)熱多膠云母帶的研究，并在電機(jī)上得到應(yīng)用(10.4 kV、6.5 Mw電動機(jī))““”1。我國于1997年開始高導(dǎo)熱多膠粉云母帶的研制工作。研究初期，主要采用0【型球狀或準(zhǔn)球狀超細(xì)Al：O，作為高導(dǎo)熱填料(粒徑約為 20～25 gm)，初步完成了實(shí)驗(yàn)室的探索研究工作，其間遇到了很多技術(shù)和生產(chǎn)工藝問題u 3。14，。后來，隨著納米技術(shù)的高速發(fā)展，為導(dǎo)熱絕緣材料建立了一個(gè)新的研發(fā)平臺。采用納米Al：0，球型粉體作為導(dǎo)熱填料，解決了很多工藝問題。樣品帶的試驗(yàn)線棒測試結(jié)果表明：使用納米粉體制備的高導(dǎo)熱多膠粉云母帶的常規(guī)電氣性能優(yōu)異，雖然仍存在一些問題，但已使我國高導(dǎo)熱多膠粉云母帶主絕緣的研究向前邁進(jìn)了一大步。
20世紀(jì)90年代初期，Von Roll Isola的R Brutsch等[10,12]開發(fā)了高導(dǎo)熱少膠粉云母帶，ABB將其應(yīng)用于18 kV汽輪發(fā)電機(jī)。研究結(jié)果表明：通過加入約1/3云母帶重量的導(dǎo)熱填料，可使VPI處理后的主絕緣熱導(dǎo)率達(dá)到0.5 W/(m·K);且高導(dǎo)熱填料的引入和云母含量的減少沒有引起主絕緣電氣性能發(fā)生變化，介質(zhì)損耗、電壓和電老化等性能與普通少膠VPI主絕緣基本保持一致。近年來，西門子Gary C Stevens等盯1還利用不同的傳熱模式和方法制備高導(dǎo)熱少膠云母帶，開展了大量的研究工作，包括：采用分子規(guī)整度高、熱導(dǎo)率高的液晶環(huán)氧樹脂作為基體膠粘劑，填充導(dǎo)熱填料，制備出高導(dǎo)熱少膠云母帶，進(jìn)一步提高導(dǎo)熱性和工藝性;在傳統(tǒng)少膠云母帶玻璃布面涂覆高導(dǎo)熱漿料，提高少膠云母帶的導(dǎo)熱性;與補(bǔ)強(qiáng)材料復(fù)合前，在云母紙表面印制條狀或網(wǎng)格狀高導(dǎo)熱膠粘劑，在保證少膠帶導(dǎo)熱性的同時(shí)，可以減少膠粘劑的含量，保持較高的柔軟性;對導(dǎo)熱填料的選擇進(jìn)行優(yōu)化，如微米級和納米級導(dǎo)熱填料的配合使用、選用導(dǎo)熱納米線或納米棒導(dǎo)通納米顆粒等，以提升膠粘劑的熱導(dǎo)率=。而我國在高導(dǎo)熱少膠云母帶方面的研究工作至今尚未開展。
除主絕緣高導(dǎo)熱多膠、少膠云母帶外，國外應(yīng)用于電機(jī)領(lǐng)域的高導(dǎo)熱絕緣材料還包括：日立的環(huán)氧膠，其導(dǎo)熱系數(shù)從0.15 W/(m·K)提高到0.96 W/ (m·K)(5倍);德國西門子研制的絲包導(dǎo)線，其導(dǎo)熱系數(shù)從0.25 w/(m·K)提高到0.50 W/(m·K)(2倍);美國杜邦研制的聚酰亞胺薄膜，其導(dǎo)熱系數(shù)從0.15 w/(m·K)提高到0.45 w/(m·K)(3倍)等，這些材料已在電機(jī)制造中得到應(yīng)用。
2.2 電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用
隨著芯片技術(shù)的不斷進(jìn)步，集成電子器件逐漸向高密度(如Intel酷睿17處理器的晶體管數(shù)達(dá)到 9.95億)、高頻(3GHz以上)、布線細(xì)微化(Intel 25納米工藝已成熟應(yīng)用于芯片制造)、芯片大功率化及表面安裝技術(shù)方向發(fā)展。這種趨勢使得在有限的體積內(nèi)產(chǎn)生更多的熱量，如果熱量不能及時(shí)導(dǎo)出，積聚過多，便會導(dǎo)致芯片工作溫度升高，影響其正常工作，甚至使電子元器件燒毀。
導(dǎo)熱絕緣材料被廣泛應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域，一方面對電子元件進(jìn)行保護(hù)，另一方面將集成電路產(chǎn)生的熱量及時(shí)導(dǎo)出。早期應(yīng)用于電子封裝的材料多為無機(jī)導(dǎo)熱絕緣材料，如金屬氧化物、氮化物陶瓷及其它非金屬材料，因其自身性能的局限、價(jià)格昂貴、難以加工成型等因素，現(xiàn)已經(jīng)無法滿足現(xiàn)代電子封裝技術(shù)的使用要求。而塑料封裝工藝簡單、成本低廉、適于大批量生產(chǎn)，因而被廣泛應(yīng)用于民用領(lǐng)域，目前95%以上的電子封裝均采用塑料封裝。
為了提高普通塑料封裝材料的導(dǎo)熱性，通常需要添加大量的導(dǎo)熱填料。導(dǎo)熱填料的加人不僅可以提高材料的熱導(dǎo)率，降低封裝材料的成本，還可以降低線膨脹系數(shù)，減小封裝材料在固化過程中因體積收縮而產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，從而避免發(fā)生內(nèi)引線斷開等問題。國外對導(dǎo)熱封裝材料開展了大量的研究工作，P B由ard等【”1用A1：O。顆粒填充環(huán)氧樹脂制備封裝材料，當(dāng)填料體積分?jǐn)?shù)達(dá)到80%時(shí)，其熱導(dǎo)率可達(dá)4.5 w/(m·K)。J W Bae等m】貝悃干究了不同粒徑的A1N填料對環(huán)氧封裝材料導(dǎo)熱性的影響，結(jié)果表明：在保持填料總體積率為65%時(shí)，采用30 gm 和2 gm兩種粒徑的A1N顆粒搭配填充比單一粒徑的A1N顆粒填充的環(huán)氧封裝材料的熱導(dǎo)率要高，其熱導(dǎo)率最高可達(dá)5.2 W/(m·K)。進(jìn)一步研究結(jié)果表明：熱導(dǎo)率隨A1N顆粒尺寸的增加而增大，當(dāng)大尺寸的A1N顆粒達(dá)到總填充量的68.5%時(shí)，樣品的熱導(dǎo)率達(dá)到7.15 w/(m·K)。而國內(nèi)在這方面所作的研究工作相對較少，高端的高導(dǎo)熱電子封裝材料仍然大量依賴進(jìn)口。
2.3 LED封裝領(lǐng)域的應(yīng)用
目前大功率LED產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，對高導(dǎo)熱材料(包括膠黏劑和灌封膠)的需求日益增長。雖然 LED封裝材料可以沿用電子封裝的相關(guān)技術(shù)，通過添加導(dǎo)熱填料等提高封裝材料的導(dǎo)熱性，但是由于 LED受戶外使用環(huán)境、紫外線輻照等因素影響較大，因此對封裝材料也提出了新的要求，如要求透光率高、具有抗紫外線老化性能等。封裝發(fā)光二極管的典型基體材料為環(huán)氧樹脂，這主要是由于環(huán)氧樹脂具有優(yōu)良的粘接性、耐腐蝕性及電絕緣性能。但環(huán)氧樹脂抗紫外老化性能較差，長期使用會造成材料的劣化，甚至使LED失效，所以通常需要選用粒徑小于400 nm的Al：O，提高其導(dǎo)熱性，同時(shí)添加納米ZnO、TiO：等紫外屏蔽材料做進(jìn)一步改性，在保證良好的透光率下提高環(huán)氧樹脂的耐紫外線老化性能。郭剛等”71將納米TiO：加人高分子材料中，通過人工加速紫外老化實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)其抗紫外老化性能得到大幅提高。姜利祥掣181也發(fā)現(xiàn)TiO：具有明顯的抗真空紫外輻射的作用。汪斌華等”川對納米TiO：和 ZnO的光學(xué)性能進(jìn)行了研究，并將其作為抗老化劑應(yīng)用到高分子材料中，取得了較好的效果。而對于功率更大的LED封裝基體材料，則多采用抗紫外線老化性能更加優(yōu)異的有機(jī)硅改性環(huán)氧樹脂或完全替代環(huán)氧樹脂，并通過添加粒徑小于400 niil的無機(jī)填料(如石英粉、單晶硅鋁粉、玻璃纖維等)改善封裝材料的耐熱性和導(dǎo)熱性。
2.4航空航天軍事領(lǐng)域的應(yīng)用
應(yīng)用于航空、航天、軍事等領(lǐng)域的器件通常都需在高頻、高壓、高功率以及高溫等苛刻的環(huán)境下運(yùn)行，并且要求高可靠性，無故障工作時(shí)間長，對散熱的要求極高，因此對絕緣材料的導(dǎo)熱性、力學(xué)性能、耐熱性能提出了更高的綜合要求。
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陶瓷材料具有耐高溫、高強(qiáng)度、低密度、高氣密性、耐氧化以及極高的熱導(dǎo)率等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛用于航空、航天、軍事等領(lǐng)域。例如，采用碳化硅纖維增強(qiáng)的碳化硅(SiC/SiC)等纖維陶瓷制造高速飛行器頭錐、尾錐和整流罩等彈體部件，不僅可以減輕重量，而且可以省去部分冷卻部件。具有良好絕緣性和高導(dǎo)熱系數(shù)的氮化物和碳化物，包括氮化鋁、氮化硼、氮化硅、碳化硅等陶瓷已被廣泛應(yīng)用于戰(zhàn)機(jī)、導(dǎo)彈、衛(wèi)星、火箭等電子系統(tǒng)的封裝和高強(qiáng)度耐高溫部件。同時(shí)，將這些無機(jī)陶瓷填料填充到橡膠、塑料等基體材料中，也可以制得具有良好綜合性能的導(dǎo)熱絕緣橡膠、塑料等口“231。通過在液體硅橡膠中高填充氧化鋁及氮化硼等粉末，可以制備耐高溫的導(dǎo)熱硅橡膠，用于電子器械等;將氧化鋁氣相涂敷改性后的氮化鋁粉末填充硅橡膠，可制取高導(dǎo)熱、高耐熱性封裝材料或連接材料等。美國 Berquist公司將研制的導(dǎo)熱絕緣橡膠用于飛機(jī)、太空倉、電機(jī)控制、汽車、家用電器等領(lǐng)域，處于世界領(lǐng)先水平。
3導(dǎo)熱絕緣材料的發(fā)展方向
3.1納米導(dǎo)熱填料
對于填充型導(dǎo)熱絕緣材料，導(dǎo)熱填料本身的熱導(dǎo)率、純度等都會影響填充后的聚合物絕緣材料的導(dǎo)熱性，因此研究具有高導(dǎo)熱的新型導(dǎo)熱填料，并對填料進(jìn)行表面處理，使其能夠更均勻地分散在基體樹脂中，將有效地提高導(dǎo)熱絕緣材料的導(dǎo)熱性能。新型導(dǎo)熱填料的納米化是未來的一個(gè)重要研究方向，如果將無機(jī)填料的粒徑減小到納米尺寸，其導(dǎo)熱性會因粒子表面原子數(shù)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等納米效應(yīng)而發(fā)生質(zhì)的變化，如：普通A1N粉末的導(dǎo)熱系數(shù)約為36 w/(m·K)，而納米級A1N的導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá) 320 w/(m·K)。日本協(xié)和化學(xué)工業(yè)公司研發(fā)的高純度納米MgO，其導(dǎo)熱系數(shù)大于50 W/(m·K)，較普通MgO粉體的導(dǎo)熱系數(shù)提升了近一倍。
3.2高取向?qū)崽盍?/p>
普通的顆粒型導(dǎo)熱填料為無規(guī)取向的燒結(jié)結(jié)構(gòu)，其形成的導(dǎo)熱通道有多個(gè)方向。而實(shí)際應(yīng)用中通常希望只在某個(gè)方向上具有很高的熱導(dǎo)率，因此設(shè)計(jì)結(jié)晶取向度高、結(jié)晶完整的纖維狀導(dǎo)熱填料可以大幅提高導(dǎo)熱方向上(纖維軸向)的熱導(dǎo)率，用聚合物制備成復(fù)合材料后，纖維狀的取向?qū)崽盍弦部梢栽趯?dǎo)熱方向上保持極高的熱導(dǎo)率，從而制備出熱導(dǎo)率遠(yuǎn)高于普通顆粒狀填料填充的復(fù)合材料。
3.3新型導(dǎo)熱樹脂
通過在樹脂分子結(jié)構(gòu)中引入聯(lián)苯、萘、蒽等剛性結(jié)構(gòu)，提高分子鏈的規(guī)整性，形成液晶或結(jié)晶型樹脂，提高聚合物材料的導(dǎo)熱性。除了開發(fā)熱塑性結(jié)晶聚合物外，更需開發(fā)更多種類的熱固性液晶、或固化后具有規(guī)整性或結(jié)晶結(jié)構(gòu)的樹脂，并降低成本，以滿足電氣澆注、浸漬等對樹脂高導(dǎo)熱性的要求。通過進(jìn)一步在新型導(dǎo)熱樹脂中添加導(dǎo)熱填料可更大幅度的提高其導(dǎo)熱性。
3.4填料改性及傳熱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
通過對導(dǎo)熱填料表面進(jìn)行有效的改性可以提高其分散性和導(dǎo)熱性，但同時(shí)還要注重各種形狀和尺寸的導(dǎo)熱填料的配合使用，并對導(dǎo)熱填料進(jìn)行組裝控制，以達(dá)到最佳的填充效果，為聲子傳熱建立最佳通道，從而提高其導(dǎo)熱性能。
4結(jié)束語
國內(nèi)在高導(dǎo)熱絕緣材料，特別是原材料方面相對于日本、歐美等國家的技術(shù)水平還相對落后，仍需加強(qiáng)在該領(lǐng)域的研發(fā)投人，開發(fā)出具有更高熱導(dǎo)率、更多品種的適用于電機(jī)、電子、LED封裝、航天軍事等領(lǐng)域的高端導(dǎo)熱絕緣材料，推動國內(nèi)電氣絕緣技術(shù)的發(fā)展。——論文作者：王 文，夏 宇
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